Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта НИУ ВШЭ и большего удобства его использования. Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь, наши правила обработки персональных данных – здесь. Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом НИУ ВШЭ и согласны с нашими правилами обработки персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
109028, Москва, Покровский бульвар 11, T423
тел: +7 (495) 621 13 42,
+ 7(495) 772 95 90 *27200; *27212.
e-mail: dhm-econ@hse.ru; shatskaya@hse.ru.
60 бюджетных мест
60 платных мест
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
100 бюджетных мест
190 платных мест
5 платных мест для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
45 бюджетных мест
130 платных мест
5 платных мест для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
35 бюджетных мест
135 платных мест
3 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
70 платных мест
3 платных места для иностранцев
120 платных мест
1 платное место для иностранцев
120 платных мест
1 платное место для иностранцев
145 платных мест
3 платных места для иностранцев
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
20 бюджетных мест
5 платных мест
1 платное место для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
40 бюджетных мест
15 платных мест
2 платных места для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
45 бюджетных мест
10 платных мест
1 платное место для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
55 платных мест
1 платное место для иностранцев
65 бюджетных мест
10 платных мест
1 платное место для иностранцев
Иностранным абитуриентам на программе доступны как бюджетные (стипендии Правительства РФ для иностранных граждан), так и платные места
165 платных мест
10 платных мест для иностранцев
109028, Москва, Покровский бульвар 11, T423
тел: +7 (495) 621 13 42,
+ 7(495) 772 95 90 *27200; *27212.
e-mail: dhm-econ@hse.ru; shatskaya@hse.ru.
Тема: Ambiguous Policies and Correlated Preferences
Аннотация:
There are many popular accounts of candidates winning elections with markedly ambiguous platforms. Clear empirical evidence regarding ambiguous platforms as well as the reasons for their attractiveness is however quite limited. We test a novel mechanism that explains the success of ambiguous platforms in an equilibrium model with fully rational players. In a citizen-candidate model of electoral competition, we show that if policy preferences are correlated in a society, this correlation can lead candidates to run on ambiguous platforms and voters to support them. In a laboratory experiment, we show that when voters' and candidates' preferences are correlated, ambiguous platforms gain notable support and can even win elections. Moreover, leveraging on the heterogeneity of cognitive ability of players in the game, we provide direct support for the underlying mechanism which drives the use and support of ambiguous platforms.
Совместный научный семинар "Политическая экономика" с Лабораторией исследования социальных отношений и многообразия общества РЭШ (ЛИСОМО РЭШ) и Международным центром изучения институтов и развития НИУ ВШЭ (МЦИИР ВШЭ) состоялся 28 января 2019г.
Руководитель семинара: А.В. Захаров (НИУ ВШЭ), К.И. Сонин (НИУ ВШЭ, University of Chicago)